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NGTB25N120FL2WAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NGTB25N120FL2WAG 数据手册 (10 页)

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NGTB25N120FL2WAG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

功耗

385000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

136 ns

额定功率(Max)

385 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

385000 mW

NGTB25N120FL2WAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NGTB25N120FL2WAG 符合标准

NGTB25N120FL2WAG 海关信息

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