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IPG20N06S4L-26A
0.335
IPG20N06S4L-26A 数据手册 (138 页)
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IPG20N06S4L-26A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
1.5 ns
下降时间
10 ns

IPG20N06S4L-26A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPG20N06S4L-26A 数据手册

Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S4L26 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L-26  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S4L26ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
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