器件3D模型

￥ 0.146

NST45010MW6T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-88-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NST45010MW6T1G Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NST45010MW6T1G 数据手册 (5 页)

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NST45010MW6T1G 数据手册 (5 页)

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NST45010MW6T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

6 Pin

封装

SC-88-6

针脚数

6 Position

极性

PNP

功耗

380 mW

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数

220 @2mA, 5V

额定功率(Max)

380 mW

直流电流增益(hFE)

220

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

380 mW

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NST45010MW6T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NST45010MW6T1G 符合标准

NST45010MW6T1G 概述