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NTD12N10T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

12A,100V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD12N10T4G 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD12N10T4G 数据手册 (8 页)

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NTD12N10T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

165 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.76 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

550pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.28 W

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

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NTD12N10T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD12N10T4G 符合标准

NTD12N10T4G 海关信息

NTD12N10T4G 概述

NTD12N10T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.15 MByte

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9 页 / 0.28 MByte

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