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NTD18N06L
0.091
NTD18N06L 数据手册 (8 页)
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NTD18N06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
54.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
阈值电压
2 V
输入电容
710 pF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
79 ns
输入电容值(Ciss)
675pF @25V(Vds)
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1 W

NTD18N06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2500

NTD18N06L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte

NTD18N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 18安培, 60伏 Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
60V,18A,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
18A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
60V,18A,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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