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R6015KNX
0.915
R6015KNX 数据手册 (14 页)
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R6015KNX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.26 Ω
极性
N
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
1050pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

R6015KNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
1000

R6015KNX 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.5 MByte

R6015 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENZC8  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V
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