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NTD18N06L-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

18A,60V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTD18N06L-1G 数据手册 (9 页)

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NTD18N06L-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-251-3

漏源极电阻

54.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.1 W

输入电容

710 pF

栅电荷

30.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

输入电容值(Ciss)

675pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

55 W

耗散功率(Max)

2.1 W

NTD18N06L-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD18N06L-1G 符合标准

NTD18N06L-1G 海关信息

NTD18N06L-1G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

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ON Semiconductor（安森美）

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