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NTD3055-094-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD3055-094-1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD3055-094-1G 数据手册 (2 页)

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NTD3055-094-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-251-3

无卤素状态

Halogen Free

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.094 Ω

极性

N-Channel

功耗

48 W

阈值电压

2.9 V

输入电容

450 pF

栅电荷

20.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

32.3 ns

输入电容值(Ciss)

450pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

23.9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

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NTD3055-094-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD3055-094-1G 符合标准

NTD3055-094-1G 海关信息