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NTD3055-150 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

60V,9A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD3055-150 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页 7 页

典型应用电路图在1 页

NTD3055-150 数据手册 (8 页)

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NTD3055-150 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

122 mΩ

极性

N-Channel

功耗

28.8 W

阈值电压

4 V

输入电容

280 pF

栅电荷

15.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

37.1 ns

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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NTD3055-150 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

最小包装数量

2500

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NTD3055-150 符合标准

NTD3055-150 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.18 MByte

NTD3055-150 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.06 MByte

NTD3055-150 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.12 MByte

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