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NTD3055-094T4G
0.353
NTD3055-094T4G 数据手册 (9 页)
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NTD3055-094T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.084 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
2.9 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
32.3 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
下降时间
23.9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.5 W

NTD3055-094T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD3055-094T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTD3055094T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 12 A, 60 V Power MOSFET 12 A, 60 V
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V
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