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IRF7204TRPBF
器件3D模型
0.204
IRF7204TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7204TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
输入电容
860 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.3A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
860pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
68 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Tc)

IRF7204TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7204TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7204 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(ON) = 0.060ohm ,ID = -5.3A ) Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7204TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
P沟道 20V 5.3A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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