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IRF720PBF
0.661
IRF720PBF 数据手册 (8 页)
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IRF720PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
50 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.8 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
3.30 A
输入电容值(Ciss)
410pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50 W

IRF720PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF720PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.14 MByte

IRF720 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 400V 3.3A
ST Microelectronics(意法半导体)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.3A , 400V , 1.800 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.0 A, 350-400 V N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
Infineon(英飞凌)
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