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NTJD4401NT1G
器件3D模型
0.052
NTJD4401NT1G 数据手册 (5 页)
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NTJD4401NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
630 mA
封装
SC-70-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.29 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
270 mW
阈值电压
920 mV
输入电容
33pF @20V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
27 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
630 mA
上升时间
227 ns
反向恢复时间
410 ns
正向电压(Max)
1.1 V
输入电容值(Ciss)
46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
270 mW
下降时间
506 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
550 mW

NTJD4401NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJD4401NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTJD4401NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NTJD4401NT1 复合场效应管 20V 630mA/0.63A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 TDX ESD保护 负载开关
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
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