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器件3D模型￥ 0.349
NTJD4401NT1G 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
SC-70-6
描述:
ON SEMICONDUCTOR NTJD4401NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
Pictures:
3D模型
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NTJD4401NT1G数据手册
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PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET
Rev. 01 — 10 February 2004 Product data
MBD128
1. Product profile
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2. Pinning information
■ Surface mounted package ■ Footprint 40% smaller than SOT23
■ Dual device ■ Fast switching
■ Low on-state resistance ■ Low threshold voltage.
■ Driver circuits ■ Switching in portable appliances.
■ V
DS
≤ 20 V ■ I
D
≤ 0.87 A
■ P
tot
≤ 0.41 W ■ R
DSon
≤ 340 mΩ.
Table 1: Pinning - SOT363 (SC-88), simplified outline and symbol
Pin Description Simplified outline Symbol
1 source (s1)
SOT363 (SC-88)
2 gate (g1)
3 drain (d2)
4 source (s2)
5 gate (g2)
6 drain (d1)
MSA370
123
654
Top view
s
1
d
1
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1
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2
MSD901
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2
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2
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