器件3D模型

￥ 0.175

NUF6401MNT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

EMI/RFI屏蔽/抑制

封装:

DFN-12

描述:

EMI 滤波器阵列，带 ESD 保护集成滤波器阵列，用于无线应用，为抑制 EMI / RFI 噪声而设计。包括在遭受高达 15kV ESD 浪涌时受到的 ESD 保护### 印刷电路板安装滤波器

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3D模型

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焊盘图

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NUF6401MNT1G 数据手册 (6 页)

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封装尺寸在6 页

原理图在1 页

NUF6401MNT1G 数据手册 (6 页)

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NUF6401MNT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

12 Pin

封装

DFN-12

无卤素状态

Halogen Free

通道数

6 Channel

针脚数

12 Position

屏蔽

工作温度(Max)

105 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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NUF6401MNT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

高度

1 mm

工作温度

-45℃ ~ 105℃

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NUF6401MNT1G 符合标准

NUF6401MNT1G 海关信息

NUF6401MNT1G 概述

NUF6401MNT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NUF6401MNT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.24 MByte

NUF6401MNT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

NUF6401MNT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 0.19 MByte

NUF6401MNT1 数据手册

NUF6401MNT1G 数据手册

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