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PBSS4240V,115 数据手册 - Nexperia（安世）
制造商:
Nexperia（安世）
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-666
描述:
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
Pictures:
3D模型
符号图
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引脚图
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PBSS4240V,115数据手册
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2003 Jan 30 5
Philips Semiconductors Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
handbook, halfpage
0
800
200
400
600
MHC471
10
−1
1
I
C
(mA)
h
FE
10 10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=5V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MHC472
0
1.2
0.4
0.8
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=5V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
−1
11010
2
10
3
10
4
10
10
2
10
3
MHC473
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0.2
1.2
0.4
0.6
0.8
1
MHC474
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
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