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PBSS4350Z
0.054
PBSS4350Z 数据手册 (9 页)
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PBSS4350Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
1.35 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
200
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

PBSS4350Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

PBSS4350Z 数据手册

NXP(恩智浦)
9 页 / 0.15 MByte
NXP(恩智浦)
10 页 / 0.35 MByte
NXP(恩智浦)
5 页 / 0.11 MByte

PBSS4350 数据手册

Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4350Z,135  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350X,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
三极管(晶体管) PBSS4350X,135 S43 SOT-89
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4350Z  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4350D,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装
NXP(恩智浦)
PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低VCEsat (BISS) 晶体管 - SOIC-8
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