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PMMT491A 数据手册 - NXP（恩智浦）
制造商:
NXP（恩智浦）
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23
描述:
NXP PMMT491A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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PMMT491A数据手册
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2004 Jan 13 4
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN BISS transistor PMMT491A
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLD642
10
−1
1
(1)
10
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
10
1
10
−1
11010
2
10
3
10
4
10
−1
I
C
(mA)
V
BE
(V)
(1)
(3)
(2)
MLD635
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MLD636
11010
2
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
3
10
4
(3)
(2)
(1)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0 200
f
T
(MHz)
I
C
(mA)
1000
400
300
100
0
200
400 600 800
MLD637
Fig.5 Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 10 V.
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