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PMV16UN,215
0.33
PMV16UN,215 数据手册 (16 页)
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PMV16UN,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
510mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.8A
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
670pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
510 mW
下降时间
85 ns
耗散功率(Max)
510mW (Ta)

PMV16UN,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV16UN,215 数据手册

NXP(恩智浦)
16 页 / 0.79 MByte
NXP(恩智浦)
17 页 / 0.9 MByte

PMV16 数据手册

Nexperia(安世)
6.8A, N-MOS, 近似物料:PMV31XN
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV160UP,215, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PMV16XN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 650 mV
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PMV160UP  晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新
NXP(恩智浦)
NXP  PMV16UN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 700 mV
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