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PMV160UP,215
0.099
PMV160UP,215 数据手册 (16 页)
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PMV160UP,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
0.48 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.2A
输入电容值(Ciss)
365pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
335 mW
耗散功率(Max)
335mW (Ta), 2.17W (Tc)

PMV160UP,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV160UP,215 数据手册

NXP(恩智浦)
16 页 / 0.86 MByte
NXP(恩智浦)
13 页 / 4.78 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.86 MByte

PMV160 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV160UP,215, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PMV160UP  晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
P 通道 MOSFET,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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