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PMV45EN,215
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PMV45EN,215 数据手册 (14 页)
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PMV45EN,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
280 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5.40 A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
5.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

PMV45EN,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV45EN,215 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.15 MByte
NXP(恩智浦)
13 页 / 0.16 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

PMV45 数据手册

Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 60 V, 0.3 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP  PMV45EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.5 V
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 0.035 ohm, 10 V, 1.5 V
Philips(飞利浦)
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