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PSMN057-200B,118
6.759
PSMN057-200B,118 数据手册 (12 页)

PSMN057-200B,118 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
39.0 A
输入电容值(Ciss)
3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
耗散功率(Max)
250W (Tc)

PSMN057-200B,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN057-200B,118 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.15 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

PSMN057200 数据手册

NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
PSMN057-200B,118 编带
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=39A P=250W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Philips(飞利浦)
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