PZT3904 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.05W Description & Applications| NPN switching transistor FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed saturated switching. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT223 plastic package. 描述与应用| NPN开关晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 •高速开关饱和。 说明 NPN开关晶体管在SOT223塑料包装。