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PZT751T1
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PZT751T1 数据手册 (4 页)
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PZT751T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-5.00 A
封装
TO-261-4
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
75 @1A, 2V
额定功率(Max)
800 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
800 mW

PZT751T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

PZT751T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.05 MByte

PZT751 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  PZT751T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
PNP硅平面外延型晶体管 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
NXP(恩智浦)
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