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RDN100N20FU6 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RDN100N20FU6 数据手册 (5 页)

或点击图片查看大图

RDN100N20FU6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

功耗

35W (Tc)

漏源极电压(Vds)

200 V

输入电容值(Ciss)

543pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

耗散功率(Max)

35W (Tc)

RDN100N20FU6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Bulk

工作温度

150℃ (TJ)

RDN100N20FU6 符合标准

RDN100N20FU6 数据手册

RDN100N20FU6 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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RDN100N20 数据手册

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开关（ 200V ， 10A ） Switching (200V, 10A)

RDN100N20FU6 数据手册

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