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RDN100N20FU6 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
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引脚图
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RDN100N20FU6数据手册
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RDN100N20
Transistors
Rev.A 4/4
0.1 1 10 100 1000
DRAIN SOURCE VOLTAGE : V
DS
(V)
1
10
CAPACITANCE : C
(pF)
1000
10000
100
Fig.10 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
f=1MHz
V
GS
=0V
Ta=25°C
Pulsed
Ciss
Crss
Coss
020
51015
TOTAL GATE CHARGE : Q
g
(nC)
0
200
180
160
140
120
100
0
20
10
80
60
40
20
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : I
DS
(V)
GATE-SOURCE VOLTAGE : V
GS
(V)
Ta=25°C
I
D
=8.0A
Pulsed
V
DD
=40V
V
DD
=100V
V
DD
=160V
V
DD
=40V
V
DD
=100V
V
DD
=160V
V
DS
V
GS
0.1 1 10 100
10
100
1000
REVERSE DRAIN CURRENT : IDR
(A)
REVERSE RECOVERY TIME : t
rr
(ns)
Fig.12 Reverse Recovery Time
vs. Reverse Drain Current
Ta=25°C
di / dt=100A / µs
V
GS
=0V
Pulsed
0.1 1 10 100
10
100
1000
DRAIN CURRENT : I
D
(A)
SWITCHING TIME : t (ns)
Fig.13 Switching Characteristcs
Ta=25°C
V
DD
=100V
V
GS
=10V
R
Q
=10Ω
Pulsed
t
d (off)
t
d (on)
t
f
t
r
10µ 100µ 1m 10m 100m 1 10
PULSE WIDTH : PW
(S)
0.01
0.001
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE : r
(t)
1
10
0.1
Fig.14 Normalized Transient
Thermal Resistance vs.
Pulse Width
Tc=25°C
PW
PW
T
T
D=
θ
th(ch-c)
(t)=r(t) • =θ
th(ch-c)
θ
th(ch-c)
=3.57°C / W
D=1
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
Single pulse
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