Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > RDN100N20FU6 数据手册 > RDN100N20FU6 其他数据使用手册 2/5 页
￥ 19.792
RDN100N20FU6 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
封装尺寸在P1
封装信息在P1
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2
导航目录
RDN100N20FU6数据手册
Page:
of 5 Go
若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件
RDN100N20
Transistors
Rev.A 2/4
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Max.Typ. Unit Conditions
Gate-Source Leakage
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Threshold Voltage
Forward Transfer Admittance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
GSS
V
(BR) DSS
I
DSS
V
GS (th)
R
DS (on)
⏐Y
fs
⏐
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Min.
⎯
200
⎯
2.0
⎯
2.3
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
D
=250µA, V
GS
=0V
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=10V, I
D
=1mA
I
D
=5A, V
GS
=10V
V
DS
=10V, I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=5A, V
DD
100V
V
GS
=10V
R
L
=20Ω
R
G
=10Ω
V
DD
=100V
V
GS
=10V
I
D
=10A
⎯
⎯
⎯
⎯
0.27
3.8
543
193
64
13
29
38
26
15.0
5.0
5.2
µA
V
µA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
±10
⎯
25
4.0
0.36
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
30.0
⎯
⎯
Static Drain-Source On-State
Resistance
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
Pulsed
zBody diode characteristics (Source-drain) (Ta=25°C)
V
SD
−−2.0 V I
S
= 5A, V
GS
=0VForward voltage
t
rr
− 133 − ns I
DR
= 10A, V
GS
=0V
di/dt= 100A / µs
Reverse recovery time
Q
rr
− 0.54 −µCReverse recovery charge
Parameter Symbol
Min. Typ. Max.
Unit
Conditions
∗ Pulsed
∗
∗
∗
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
