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> 电压基准芯片 > TI(德州仪器) > REF5025SKGD1 Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 72.489
REF5025SKGD1 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
0-XCEPT
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW NOISE, VERY LOW DRIFT, PRECISION VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5025SKGD1 数据手册 (28 页)
引脚图
在
3 页
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在
24 页
典型应用电路图
在
15 页
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原理图
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REF5025SKGD1 技术参数、封装参数
类型
描述
容差
±0.9 %
封装
0-XCEPT
输出电压
2.5 V
输出电流
7 mA
供电电流
1.5 mA
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
2.5 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
7 mA
工作温度(Max)
210 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
输入电压
3.25V ~ 18V
查看数据手册 >
REF5025SKGD1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-55℃ ~ 210℃ (TA)
温度系数
±40 ppm/℃
查看数据手册 >
REF5025SKGD1 符合标准
REF5025SKGD1 数据手册
REF5025SKGD1
数据手册
TI(德州仪器)
28 页 / 1.13 MByte
REF5025SKGD1
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
17 页 / 0.36 MByte
REF5025 数据手册
REF5025
数据手册
TI(德州仪器)
3µVpp/V 噪声、3ppm/°C 漂移精密电压基准
REF5025
数据手册
Burr Brown
REF5025
AIDR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5025AIDR 电压参考系列-固定, 2.5V参考, ± 3ppm/°C, SOIC-8 新
REF5025
AID
数据手册
TI(德州仪器)
2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5025
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5025
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5025
ID
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5025ID 电压基准, 精密, 低噪, 系列 - 固定, REF5025系列, 2.5V, SOIC-8
REF5025
IDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度OLTAGE参考 Low-Noise, Very Low Drift, Precision OLTAGE REFERENCE
REF5025
AIDGKR
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5025
AQDRQ1
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW NOISE, VERY LOW DRIFT,PRECISION VOLTAGE REFERENCE
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