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器件3D模型
¥ 0.337
REF5025IDRG4 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5025IDRG4 数据手册 (20 页)
封装尺寸
在
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REF5025IDRG4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.05 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
2.70V ~ 18.0V
输出电压
2.5 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.2 mA
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
10 mA
输入电压
2.7V ~ 18V
查看数据手册 >
REF5025IDRG4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±3 ppm/℃
查看数据手册 >
REF5025IDRG4 符合标准
REF5025IDRG4 数据手册
REF5025IDRG4
数据手册
TI(德州仪器)
20 页 / 0.59 MByte
REF5025IDRG4
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
152 页 / 5.85 MByte
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3µVpp/V 噪声、3ppm/°C 漂移精密电压基准
REF5025
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REF5025
AIDR
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5025AIDR 电压参考系列-固定, 2.5V参考, ± 3ppm/°C, SOIC-8 新
REF5025
AID
数据手册
TI(德州仪器)
2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5025
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5025
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5025
ID
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5025ID 电压基准, 精密, 低噪, 系列 - 固定, REF5025系列, 2.5V, SOIC-8
REF5025
IDGKT
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度OLTAGE参考 Low-Noise, Very Low Drift, Precision OLTAGE REFERENCE
REF5025
AIDGKR
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5025
AQDRQ1
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW NOISE, VERY LOW DRIFT,PRECISION VOLTAGE REFERENCE
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