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RJP020N06 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89

描述:

RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RJP020N06 数据手册 (3 页)

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RJP020N06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-89

漏源极电阻

0.21 Ω

极性

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

RJP020N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

1000

RJP020N06 概述

RJP020N06 数据手册

RJP020N06 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.04 MByte

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