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RJP020N06FRAT100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

SOT-89

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

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符号图

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产品图

RJP020N06FRAT100 数据手册 (3 页)

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RJP020N06FRAT100 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-89

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.165 Ω

极性

N-CH

功耗

500 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

工作温度(Max)

150 ℃

RJP020N06FRAT100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

RJP020N06FRAT100 符合标准

RJP020N06FRAT100 概述

RJP020N06FRAT100 数据手册

RJP020N06FRAT100 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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RJP020N06 数据手册

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RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器

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ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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