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RTM002P02T2L
0.034
RTM002P02T2L 数据手册 (2 页)
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RTM002P02T2L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-200 mA
封装
SOT-723-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1 Ω
极性
P-Channel
功耗
150 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

RTM002P02T2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
宽度
0.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RTM002P02T2L 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RTM002P02T2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTM002P02T2L  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV
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