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RUM002N02T2L 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-723

描述:

RUM002N02 系列 20 V 1.2 Ohm 200 mA 表面贴装 N沟道 MOSFET - VMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RUM002N02T2L 数据手册 (5 页)

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RUM002N02T2L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-723

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

25pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

RUM002N02T2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

1.3 mm

宽度

0.9 mm

高度

0.45 mm

工作温度

150℃ (TJ)

RUM002N02T2L 符合标准

RUM002N02T2L 海关信息

RUM002N02T2L 概述

RUM002N02T2L 数据手册

RUM002N02T2L 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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RUM002N02 系列 20 V 1.2 Ohm 200 mA 表面贴装 N沟道 MOSFET - VMT-3

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