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S29GL512S11TFI010
器件3D模型
0.204
S29GL512S11TFI010 数据手册 (102 页)
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S29GL512S11TFI010 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
56 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-56
供电电流
60 mA
位数
16 Bit
内存容量
64000000 B
存取时间(Max)
110 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

S29GL512S11TFI010 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃

S29GL512S11TFI010 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
102 页 / 1.44 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
109 页 / 2.32 MByte

S29GL512S11 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 512Mb 3V 110ns Parallel NOR闪存
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11TFI020  闪存, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11TFIV20  芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-S 系列 512 Mb (32 M x 16) 3.6 V MirrorBit® Eclipse™ 闪存 - FBGA-64
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