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Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Spansion(飞索半导体) > S29GL512P11TFI010 Datasheet 文档
S29GL512P11TFI010
器件3D模型
4.411
S29GL512P11TFI010 数据手册 (82 页)
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S29GL512P11TFI010 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
56 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-56
供电电流
110 mA
针脚数
56 Position
存取时间
110 ns
内存容量
64000000 B
存取时间(Max)
110 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3V, 3.3V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

S29GL512P11TFI010 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
14 mm
宽度
18.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

S29GL512P11TFI010 数据手册

Spansion(飞索半导体)
82 页 / 0.98 MByte
Spansion(飞索半导体)
82 页 / 0.98 MByte
Spansion(飞索半导体)
1 页 / 0.77 MByte

S29GL512P11 数据手册

Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI010..  闪存芯片, NOR, 512Kb
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI020.  闪存, 512 Mbit, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor (Spansion)### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11FFI010  闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
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