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SCT3080AL
6.293
SCT3080AL 数据手册 (15 页)
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SCT3080AL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
134 W
阈值电压
5.6 V
漏源极电压(Vds)
650 V
工作温度(Max)
175 ℃

SCT3080AL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 1 MByte

SCT3080 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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