￥ 1.294

IPB026N06NATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB026N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB026N06NATMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IPB026N06NATMA1 数据手册 (9 页)

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IPB026N06NATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

136 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @30V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta), 136W (Tc)

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IPB026N06NATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB026N06NATMA1 符合标准

IPB026N06NATMA1 概述