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IRFIB6N60APBF
2.093
IRFIB6N60APBF 数据手册 (8 页)
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IRFIB6N60APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
60W (Tc)
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
60W (Tc)

IRFIB6N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFIB6N60APBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.14 MByte

IRFIB6N60 数据手册

VISHAY(威世)
单 N 沟道 600 V 0.75 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220FP
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFIB6N60APBF.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON)最大值= 0.75ohm ,ID = 5.5A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A)
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