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SGL50N60RUFDTU
5.77
SGL50N60RUFDTU 数据手册 (2 页)
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SGL50N60RUFDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-264-3
额定功率
250 W
针脚数
3 Position
功耗
250 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
100 ns
额定功率(Max)
250 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW

SGL50N60RUFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
26 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SGL50N60RUFDTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.51 MByte

SGL50N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SGL50N60RUFDTU  晶体管, IGBT, 600V, 80A
ON Semiconductor(安森美)
SGL50N60RUFD系列 600 V 80 A 法兰安装 短路 额定 IGBT -TO-264
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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