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SI1031R-T1
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SI1031R-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-75
极性
P-CH
功耗
280 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.14A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI1031R-T1 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.07 MByte

SI1031 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1031R-T1-GE3.  晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V
Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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