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SI1031X-T1
1.796
SI1031X-T1 数据手册 (5 页)
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SI1031X-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
漏源极电阻
8.00 Ω
极性
P-Channel
功耗
340 mW
漏源击穿电压
-20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
-155 nA

SI1031X-T1 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.06 MByte

SI1031 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1031R-T1-GE3.  晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V
Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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