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器件3D模型
¥ 1.796
SI1031X-T1 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI1031X-T1 数据手册
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SI1031X-T1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
漏源极电阻
8.00 Ω
极性
P-Channel
功耗
340 mW
漏源击穿电压
-20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
-155 nA
SI1031X-T1 符合标准
SI1031X-T1 数据手册
SI1031X-T1
其他数据使用手册
VISHAY(威世)
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SI1031 数据手册
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SI1031
R-T1-GE3
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SI1031
R-T1-GE3
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VISHAY SI1031R-T1-GE3. 晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V
SI1031
X-T1-GE3
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R
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P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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-B-GM3
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SI1031
X-T1-E3
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