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SI2301CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2301CDS-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI2301CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

额定功率

1.6 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.142 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.10 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

405pF @10V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

860 mW

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SI2301CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2301CDS-T1-GE3 符合标准

SI2301CDS-T1-GE3 海关信息

SI2301CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.09 MByte

SI2301CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.19 MByte

SI2301CDS-T1-GE3 产品修订记录

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