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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2305ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2305ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

针脚数

3 Position

漏源极电阻

88 mΩ

极性

P-Channel

功耗

960 mW

漏源极电压(Vds)

-8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-4.10 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI2305ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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SI2305ADS-T1-GE3 符合标准

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