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SI2305DS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2305DS-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI2305DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

额定功率

1.25 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

52 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

-8.00 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI2305DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2305DS-T1-E3 符合标准

SI2305DS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.07 MByte

SI2305DS-T1-E3 其他数据使用手册

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SI2305DS-T1-E3 产品修订记录

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