￥ 0.07

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (7 页)

SI2305ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.088 Ω

功耗

960 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

8 V

输入电容值(Ciss)

740pF @4V(Vds)

额定功率(Max)

1.7 W

工作温度(Max)

150 ℃

查看数据手册 >

SI2305ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SI2305ADS-T1-GE3 符合标准

SI2305ADS-T1-GE3 海关信息

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.11 MByte

SI2305ADS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.13 MByte

SI2305ADS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2305ADST1 数据手册

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2305ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236

SI2305ADS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号