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SI4420DY
器件3D模型
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SI4420DY 数据手册 (6 页)
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SI4420DY 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT
正向电压
1.10 V
功耗
1.50 W
上升时间
13.0 ns

SI4420DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

SI4420DY 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.05 MByte
Vishay Siliconix
5 页 / 0.06 MByte

SI4420 数据手册

Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  SI4420DYPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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