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SI4420DYPBF
器件3D模型
0.217
SI4420DYPBF 数据手册 (8 页)
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SI4420DYPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
12.5 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.013 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
SI4420DY
输入电容
2240pF @15V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.5 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
2240pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4420DYPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4420DYPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.24 MByte

SI4420 数据手册

Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  SI4420DYPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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