器件3D模型

￥ 0.172

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI4431BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

23 mΩ

极性

P-CH

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

10 ns

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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SI4431BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

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SI4431BDY-T1-GE3 符合标准

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

SI4431BDY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.19 MByte

SI4431BDY-T1-GE3 开发手册

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4 页 / 0.05 MByte

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