器件3D模型

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SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SI4431BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI4431BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-5.70 A

上升时间

10 ns

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4431BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4431BDY-T1-GE3 符合标准

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.22 MByte

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