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SI4431DY
器件3D模型
0.075
SI4431DY 数据手册 (5 页)
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SI4431DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
32.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.50 W
栅源击穿电压
±20.0 V

SI4431DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4431DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte

SI4431 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI4431-B1-FM  芯片, 射频收发器, 240-930MHZ, QFN-20
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4431BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
VISHAY(威世)
SI4431CDY-T1-E3 编带
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
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